不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1300pF @ 20V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），35W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：10.5 毫欧 @ 20A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PG-TSDSON-8

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11A（Ta），40A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 14µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：17nC @ 10V

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Id-连续漏极电流：11A

Rds On-漏源导通电阻：10.5mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：20V

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：SingleQuadDrainTripleSource

Pd-功率耗散：2.1W

通道模式：Enhancement

商标名：OptiMOS

封装：CutTape

高度：1.1mm

长度：3.3mm

系列：OptiMOS3

晶体管类型：1N-Channel

下降时间：2.6ns

上升时间：1.2ns

典型关闭延迟时间：9.5ns

典型接通延迟时间：7ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs